NTD60N02R
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD60N02R
NTD60N02RG
NTD60N02RT4
NTD60N02RT4G
NTD60N02R?1
NTD60N02R?1G
NTD60N02R?35
NTD60N02R?35G
Package
DPAK?3
DPAK?3
(Pb?Free)
DPAK?3
DPAK?3
(Pb?Free)
DPAK?3 Straight Lead
DPAK?3 Straight Lead
(Pb?Free)
DPAK?3 Straight Lead
(3.5 ± 0.15 mm)
DPAK?3 Straight Lead
(3.5 ± 0.15 mm)
Shipping ?
75 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
75 Units / Rail
75 Units / Rail
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料
NTD6414ANT4G MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
NTD6415ANLT4G MOSFET N-CH 100V 23A 56MOHM DPAK
NTD6415ANT4G MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
NTD6416AN-1G MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
NTD6416ANL-1G MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
NTD65N03RT4G MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
NTD6600N-1G MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
NTD70N03R-1G MOSFET N-CH 25V 10A IPAK
相关代理商/技术参数
NTD60N02RT4G 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD60N03 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60A,28V N-CH 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60Amps, 28Volts N-Channel DPAK
NTD60N03-001 功能描述:MOSFET N-CH 28V 60A IPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD60N03-1 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts
NTD60N03T4 功能描述:MOSFET N-CH 28V 60A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD6414AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ
NTD6414AN-1G 功能描述:MOSFET NFET IPAK 100V 29A 38MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD6414ANT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube